PROCESO DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS

1._PREPARACION DE LA OBLEA

el material inicial para la fabricación de circuitos integrados modernos es el silicio en muy alta puresa  se le da la forma de un silindrio de color gris posteriormente se debe alizar hasta quedar con una superficie de espejo y de cristalizado sucesivo a eso se le da la forma de oblea a partir de las técnicas de pulimento químicas y mecánicas.
2._OXIDACION
proceso quimico por el cual se forma el dioxido de silicio necesario para la creacion de obleas de oxidacion silicia que se necesita para adquerir unas mejores caracteristicas electricas
3._DIFUSION
la etapa de la difusion es necesaria para cambiar la resistencia del silicio esto se obtiene por medio del intercambio de atomos de una region a otra de mayor consentracion y por un medio semiconductor
4._ IMPLANTACION DE IONES
metodo utilizado para la introduccion de atomos por un medio semiconductor, este proceso se hace para conseguir iones del contaminante deceado
5._DEPOSICION POR MEDIO DEL VAPOR QUIMICO
lo que ocurre en este proceso es hacer reaccionar quimicamente a diversos gases de vapores, gracias a esto se produce la formacon de solidos de substracto una ventaja de este proceso es que aplica rapidamente el oxido y a una menor temperatura.
6._METALIZACION
su proposito es interconectar los diversos componentes para formar el circuito integrado que decea , implica la  deposicion inicial  de un metal sobre la superficie del silicio.
7._FOTOLITOGRAFIA
 es una tecnica utilizada para definir la geometria de la superficie  de los diversos componentes de un circuito integrado
8._EMPACADO
esta oblea puede contener sientos de chips integrados y estos pueden contener 10 o mas de diez transistores integrados en una area rectangular
9._COSFET
es el canal que permite la movilidad en la superficie de los electrones es de dos a cuatro veces mas alta a la de los huecos.
10._RESISTENCIAS
las regiones de las distintas difusiones tienen diferentes resistencias , el pozo se utiliza para resistencias de valor medio mientra que las difusiones n+ y p+  son utiles para resisitencia de valor bajo dependiendo la distancia y la longitud tienen diferentes resistencias
11._CONDENSADORES
existen dos tipos de condensadores  en los procesos CMOS  y MOS  que dependen del area de dicha compuerta este condensador exive una gran dependencia de voltaje
12._TRANSISTOR PNP LATERAL
cuando se utiliza este dispositivo electronico el pozo no sirve como region de  base ni con difuciones p+ como emisor y colector
13._ RESISTORES DE BASE P Y DE BASE ESTRECHA
la base p se puede utilizar para formar un resitor de base p directo